收藏本站
IXFH15N100P IXFV15N100P
IXFV15N100PS
16
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
30
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
14
V GS = 10V
9V
27
V GS = 10V
24
12
21
9V
10
18
8
8V
15
6
12
8V
9
4
7V
6
2
0
3
0
7V
0
2
4
6
8
10
12
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
16
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 7.5A Value
vs. Junction Temperature
14
V GS = 10V
9V
2.8
2.6
V GS = 10V
12
10
8V
2.4
2.2
2.0
8
1.8
I D = 15A
6
7V
1.6
1.4
I D = 7.5A
1.2
4
1.0
2
0
6V
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 7.5A Value
vs. Drain Current
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
2
V GS = 10V
T J = 125oC
14
12
10
1.8
8
1.6
6
1.4
1.2
4
1
0.8
T J = 25oC
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFH15N80 MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD
IXFH160N15T2 MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
IXFH160N15T MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
IXFH16N90Q MOSFET N-CH 900V 16A TO-247
IXFH20N100P MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
IXFH20N60 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
IXFH22N55 MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
IXFH22N60P MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
相关代理商/技术参数
IXFH15N100Q 功能描述:MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH15N100Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH15N60 功能描述:MOSFET 15 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH15N65 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH15N80 功能描述:MOSFET 800V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH15N80Q 功能描述:MOSFET 800V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH1605 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXFH1606 制造商:IXYS Corporation 功能描述: